BG 3130 H6327的供应商，BG 3130 H6327规格参数，BG 3130 H6327的PDF资料

BG 3130 H6327 /

BG 3130 H6327的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

最高工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：PG-SOT363-6

系列：BG3130

品牌：InFineon Technologies

200 mW：Pd - 功率消耗

标准包装数量：3000

RoHS：符合 RoHS

配置：Dual

晶体管极性：N-Channel

频率：800 MHz

增益：24 dB

Vds - 漏-源击穿电压：12 V

Id - C连续漏极电流：25 mA

Vgs - 闸极-源极击穿电压：6 V

Id-连续漏极电流：25mA

Vds-漏源极击穿电压：12V

最大工作温度：+150C

封装：CutTape

工作频率：800MHz

Pd-功率耗散：200mW

Vgs - 栅极-源极电压：6V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

BG 3130 H6327的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	BG 3130 H6327	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市芯幂科技有限公司	BG 3130 H6327	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BG 3130 H6327	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	BG 3130 H6327	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市维基鸿电子有限公司	BG 3130 H6327	赛格科技园2栋1008	13148740189/ 19520735817/13632918917 13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917	文小姐，米小姐，朱小姐	询价
深圳市新启创电子科技有限公司	BG 3130 H6327	深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A	0755-83987343 13828773769	胡双能	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号

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BG 3130 H6327的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	BG 3130 H6327	Infineon	RF FET - 分立半导体产品	9000+:￥0.81
Mouser 贸泽电子	BG 3130 H6327	Infineon	RF FET - 分立半导体产品	9000+:￥0.811+:￥2.78 10+:￥1.85 100+:￥1.04 1000+:￥0.86 3000+:￥0.78 9000+:￥0.78 24000+:￥0.71 45000+:￥0.6899 99000+:￥0.6699

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